[发明专利]半导体去除剂在审
| 申请号： | 201310451628.9 | 申请日： | 2013-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN103513524A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 杨桂望 | 申请（专利权）人： | 杨桂望 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266000 山东省青岛*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于去除光刻胶残留物的半导体去除剂，其包括小分子抑制剂混合物、溶剂、季铵氢氧化物、柠檬酸/柠檬酸盐缓冲水溶液、烷基二醇芳基醚。该去除剂降低对晶片图形和对铝和铜等金属，以及二氧化硅等非金属基材的腐蚀，尤其是其含有的小分子抑制剂对金属铝的腐蚀表现出良好的抑制作用。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 去除 | ||
【主权项】：
一种用于去除光刻胶残留物的半导体去除剂，其特征在于：包括小分子抑制剂混合物、溶剂、季铵氢氧化物、柠檬酸/柠檬酸盐缓冲水溶液、烷基二醇芳基醚。
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