[发明专利]利用磁铁单元的溅射装置及其方法无效
| 申请号： | 201310452254.2 | 申请日： | 2013-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103789736A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 金明浩;郑铭峻 | 申请（专利权）人： | ACE技术株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种能够降低被镀膜物的镀膜厚度偏差的溅射装置及其方法。该溅射装置包括：腔体；以及靶模块，其位于所述腔体内，并且具有靶源及产生磁场的至少一个磁铁单元；其中，所述磁铁单元在溅射工序期间摆动。根据本发明的溅射装置及其方法，通过使靶源旋转(rotating)，并使磁铁单元摆动(swing)，能够延长靶源的寿命，并且能够降低被镀膜物的镀膜厚度偏差。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 磁铁 单元 溅射 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种溅射装置，其特征在于，包括：腔体；以及靶模块，其位于所述腔体内，并且具有靶源及产生磁场的至少一个磁铁单元，其中，所述磁铁单元在溅射工序期间摆动。
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