[发明专利]一种MEMS传声器

摘要

本发明公开提出一种MEMS传声器，其包括外壳、PCB板以及位于外壳内部且设置于PCB板上的ASIC芯片与MEMS振动膜片；所述外壳设置有多个声孔且底面开口，PCB板将该底面开口密封；所述MEMS振动膜片包括基膜、附着于基膜一侧表面的上电极层以及附着于基膜另一侧表面的下电极层：所述基膜由氮化硅制成，厚度为5‑15μm；所述上电极层为铝金属层，厚度为0.03‑0.05μm；所述下电极层厚度为0.3‑0.7μm；所述下电极层的组分及重量百分比为：Al:10%‑15%；Cr:5%‑8%；Nb:0.2%‑1.5%；Ni:2.5%‑5%；Pt:7%‑10%；余量为Ti。本发明的MEMS传声器具有灵敏度高、结构简单、失真小的有益效果。

主权项

一种MEMS传声器，其特征在于：包括外壳、PCB板以及位于外壳内部且设置于PCB板上的ASIC芯片与MEMS振动膜片；所述外壳设置有多个声孔且底面开口，PCB板将该底面开口密封；所述MEMS振动膜片包括基膜、附着于基膜一侧表面的上电极层以及附着于基膜另一侧表面的下电极层：所述基膜由氮化硅制成，厚度为5‑15μm；所述上电极层为铝金属层，厚度为0.03‑0.05μm；所述下电极层厚度为0.3‑0.7μm；所述下电极层的组分及重量百分比为：Al:10％‑15％；Cr:5％‑8％；Nb:0.2％‑1.5％；Ni:2.5％‑5％；Pt:7％‑10％；余量为Ti；所述下电极层通过如下方式附着于氮化硅基膜上：S1：磁控溅射铌元素：选用纯铌靶材，调节靶材与氮化硅基膜的距离至100‑120mm；溅射沉积：溅射时间5‑10分钟，工作气压1.2‑1.5Pa；S2：氧化反应：将溅射有铌元素的氮化硅基膜静置10‑30分钟使得铌元素氧化反应以在氮化硅基膜表面形成氧化铌薄膜；S3：磁控溅射铝、铬、镍元素：选用纯铝、纯铬、纯镍靶材，通入氩气作为保护气体，调节靶材与氮化硅基膜的距离至50‑70mm；溅射沉积：溅射时间20‑30分钟，工作气压1.0‑1.2Pa；S4：磁控溅射铂元素；S5：磁控溅射钛元素。