[发明专利]功率二极管的制备方法

摘要

本发明提供一种功率二极管的制备方法，包括提供衬底，在所述衬底的正面生长N型层；形成终端保护环；形成氧化层，对所述终端保护环进行推结；用有源区光刻板光刻并刻蚀掉有源区区域的所述氧化层，去胶后，在所述有源区区域的所述N型层的正面形成栅氧化层；在所述栅氧化层上淀积形成多晶硅层；用多晶硅光刻板光刻，并以光刻胶为掩蔽层注入P型离子，通过离子散射在所述多晶硅层下方形成P型体区；形成N型重掺杂区；形成P+区；进行热退火，激活注入的杂质；进行正面金属化及背面金属化处理。上述功率二极管的制备方法，通过在多晶硅刻蚀之前，直接利用离子注入的散射形成P型体区作为MOS沟道，简化了流程并降低了成本。

主权项

一种功率二极管的制备方法，包括：提供衬底，在所述衬底的正面生长N型层；在所述N型层的正面形成终端保护环；在所述N型层的正面形成氧化层，对所述终端保护环进行推结；用有源区光刻板光刻并刻蚀掉有源区区域的所述氧化层，去胶后，在所述有源区区域的所述N型层的正面形成栅氧化层；在所述栅氧化层上淀积形成多晶硅层；用多晶硅光刻板光刻，并以光刻胶为掩蔽层注入P型离子，通过离子散射在所述多晶硅层下方形成P型体区；以所述光刻胶作为掩蔽层刻蚀所述多晶硅层，并向被刻蚀开的区域下面的P型体区内注入N型离子，形成N型重掺杂区；以所述光刻胶作为掩蔽层，先后进行栅氧化层刻蚀和硅刻蚀，并通过离子注入向被刻蚀开的区域下方注入P型离子，形成P+区；进行热退火，激活注入的杂质；进行正面金属化及背面金属化处理；其中，所述N型重掺杂区位于所述P型体区内，所述P型体区下方设有P+区。