[发明专利]真空镀膜方法无效
| 申请号： | 201310453456.9 | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103526161A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 宫辉;王学武;李元景;杨祎罡;王永强;朱守糯;王燕春;常建平 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22;C23C14/30 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 哈达 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种真空镀膜方法，包括以下步骤：提供一带状基材，该带状基材经过螺旋盘绕之后围成一圆筒状结构，该待镀膜表面即为该圆筒状结构的外表面；将所述圆筒状结构置于真空镀膜机中，该真空镀膜机内设置有待镀膜材料，使用该待镀膜材料对所述待镀膜表面进行第一次镀膜，形成一第一薄膜层；以及；将所述圆筒状结构倒置，对所述待镀膜表面进行第二次镀膜，从而在第一薄膜层的表面形成一第二薄膜层，两次镀膜后形成的镀膜材料层整体厚度均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 真空镀膜 方法 | ||
【主权项】：
一种真空镀膜方法，包括以下步骤：S1：提供一带状基材，该带状基材经过螺旋盘绕之后围成一圆筒状结构，待镀膜表面即为该圆筒状结构的外表面；S2：将所述圆筒状结构置于真空镀膜机中，该真空镀膜机内设置有待镀膜材料，使用该待镀膜材料对所述待镀膜表面进行第一次镀膜，形成一第一薄膜层；以及；S3：将所述圆筒状结构倒置，对所述待镀膜表面进行第二次镀膜，从而在第一薄膜层的表面形成一第二薄膜层，两次镀膜后形成的镀膜材料层整体厚度均匀。
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