[发明专利]芯片大功率器件管脚结构无效
| 申请号： | 201310453488.9 | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN104517923A | 公开（公告）日： | 2015-04-15 |
| 发明（设计）人： | 谢超 | 申请（专利权）人： | 谢超 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 芯片大功率器件管脚结构，包括漏极管脚（1）、源极管脚（2）、与源极管脚连接的第一金属电极（3）、与漏极管脚连接的第二金属电极（4）、其特征在于，所述源极管脚和漏极管脚分别位于功率管阱（5）相对的一对边界，所述第一金属电极和第二金属电极属于同一金属层，第一金属电极与第二金属电极成互补的锯齿形状。采用本发明所述芯片大功率器件管脚结构，金属电极为交错式锯齿设计，在整个功率管阱源漏电流交错分布，提高了电流均匀性，并对功率管的散热有利，提高了功率管的工作性能。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 大功率 器件 管脚 结构 | ||
【主权项】：
芯片大功率器件管脚结构，包括漏极管脚（1）、源极管脚（2）、与源极管脚连接的第一金属电极（3）、 与漏极管脚连接的第二金属电极（4）、其特征在于，所述源极管脚和漏极管脚分别位于功率管阱（5）相对的一对边界，所述第一金属电极和第二金属电极属于同一金属层，第一金属电极与第二金属电极成互补的锯齿形状，所述第一金属电极和第二金属电极为芯片顶层金属。
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