[发明专利]一种半导体器件及其制作方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制作方法，包括步骤：1）于半导体衬底表面形成介质栅层、多晶硅栅层及栅极侧墙；2）对多晶硅栅层及栅极侧墙两侧的半导体衬底进行N型离子注入及退火，形成N型多晶硅栅层、源区及漏区；3）形成覆盖N型多晶硅栅层、源区及漏区的光刻胶，并于N型多晶硅栅层上方的光刻胶中形成注入窗口；4）对N型多晶硅栅层进行P型离子注入，使N型多晶硅栅层部分反型为P型多晶硅栅层，并去除光刻胶。本发明通过于N型多晶硅栅层中注入高浓度浓度P型离子使栅极形成P‑N二极管结构，通过离焦曝光工艺制作具有注入窗口的光刻胶以保护源区及漏区，从而大大提高器件的性能及稳定性。

主权项

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1)提供一半导体衬底，于所述半导体衬底表面依次形成介质层及多晶硅层，定义栅极结构区域，去除所述栅极结构区域以外的多晶硅层及介质层，形成栅极结构的介质栅层及多晶硅栅层，并于所述介质栅层及多晶硅栅层两侧形成栅极侧墙；2)对所述多晶硅栅层及所述栅极侧墙两侧的半导体衬底进行N型离子注入及退火，形成N型多晶硅栅层及分别位于所述栅极侧墙两侧下方的源区及漏区；3)于上述结构表面形成至少覆盖所述N型多晶硅栅层、源区及漏区的光刻胶，并于所述N型多晶硅栅层上方的光刻胶中形成注入窗口；4)藉由所述注入窗口对所述N型多晶硅栅层进行P型离子注入，使所述N型多晶硅栅层部分反型为P型多晶硅栅层，并去除所述光刻胶。