[发明专利]一种基于专家系统的自适应微聚焦X射线检测方法无效
申请号: | 201310455191.6 | 申请日: | 2013-09-29 |
公开(公告)号: | CN103500719A | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 高红霞;万燕英;胡跃明 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 蔡茂略 |
地址: | 511458 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于专家系统的自适应微聚焦X射线检测方法,该方法是首先构建基于X射线源焦点和射线通量关系的知识库和一定的推理机制以建立起该领域合理的专家系统,然后在PC上位机输入当前检测对象材料、精度要求等参数,专家系统据此推理出合适的焦点尺寸参数,并通过以太网发至ARM下位机。ARM下位机将目标焦点对应的输出功率发送至高频高压发生器,高频高压发生器再调节管电压、管电流实现焦点控制,达到自适应调节焦点的目的,从而调整成像系统的分辨率,满足各种检测过程的成像需求。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 专家系统 自适应 聚焦 射线 检测 方法 | ||
【主权项】:
一种基于专家系统的自适应微聚焦X射线检测方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)根据专家经验和专业知识,针对检测对象和精度要求,建立X射线源焦点和射线通量的专家系统;(2)在PC上位机输入当前检测对象的相关参数信息;(3)专家系统根据PC上位机传送过来的参数信息,推理出针对当前检测对象的目标焦点尺寸,并将目标焦点尺寸反馈给PC上位机;(4)PC上位机根据目标焦点尺寸生成相应的调焦指令并发送给ARM下位机,ARM下位机接收指令后,查找内建的焦点与输出功率对应关系表得到调焦所需的输出功率参数值以及对应的管电压、电流值,再将管电压、电流值发送至高频高压发生器,输出功率的大小为管电压与电流的乘积;(5)高频高压发生器调节输出功率以改变X射线管焦点尺寸;(6)通过CCD摄像机获取对象X光图像并借助视频采集卡显示在PC上位机上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造