[发明专利]一种高效率的AlGaInP发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201310455429.5 | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN103500781A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 马淑芳;田海军;吴小强;关永莉;梁建;许并社 | 申请（专利权）人： | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司;太原理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/04;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人： | 朱源 |
| 地址： | 041600 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及AlGaInP发光二极管，具体是一种高效率的AlGaInP发光二极管外延片及其制备方法。本发明解决了现有AlGaInP发光二极管的外延片工艺复杂、成本高、以及出光效率较低的问题。一种高效率的AlGaInP发光二极管外延片，包括n-GaAs衬底、n-GaAs缓冲层、n-AlxGa1-xAs渐变层、复合式DBR、n-InAlP限制层、有源层、p-InAlP限制层、P型超晶格层、p-GaP窗口层；其中，n-GaAs缓冲层生长于n-GaAs衬底的上表面；n-AlxGa1-xAs渐变层生长于n-GaAs缓冲层的上表面。本发明适用于AlGaInP发光二极管的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高效率 algainp 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高效率的AlGaInP发光二极管外延片，其特征在于：包括n‑GaAs衬底、n‑GaAs缓冲层、n‑AlxGa1‑xAs渐变层、复合式DBR、n‑InAlP限制层、有源层、p‑InAlP限制层、P型超晶格层、p‑GaP窗口层；其中，n‑GaAs缓冲层生长于n‑GaAs衬底的上表面；n‑AlxGa1‑xAs渐变层生长于n‑GaAs缓冲层的上表面；复合式DBR生长于n‑AlxGa1‑xAs渐变层的上表面；n‑InAlP限制层生长于复合式DBR的上表面；有源层生长于n‑InAlP限制层的上表面；p‑InAlP限制层生长于有源层的上表面；P型超晶格层生长于p‑InAlP限制层的上表面；p‑GaP窗口层生长于P型超晶格层的上表面。
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