[发明专利]具有全方位反射镜的发光二极管及其相应的制造方法无效
| 申请号： | 201310455672.7 | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103489977A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 李智勇 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的具有全方位反射镜的发光二极管及其相应的制造方法，所述具有全方位反射镜的发光二极管由下至上依次包括衬底、n型GaN层、n型GaN层上形成的n电极和有源层、所述有源层上形成的p型GaN层、所述p型GaN层上形成的ODR结构，以及发光二极管还包括透明导电层，所述ODR结构从下至上包括DBR反射结构和p电极，所述透明导电层位于所述DBR反射结构和p电极之间且延伸至未形成所述DBR反射结构的p型GaN层上，n电极和p电极由反射金属构成，本发明解决了平行结构LED芯片由于PN金属电极吸光、电流拥挤而导致的光电转换效率低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 全方位 反射 发光二极管 及其 相应 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有全方位反射镜的发光二极管，其特征在于：由下至上依次包括衬底、n型GaN层、n型GaN层上形成的n电极和有源层、所述有源层上形成的p型GaN层、所述p型GaN层上形成的ODR结构，以及发光二极管还包括透明导电层，所述ODR结构从下至上包括DBR反射结构和p电极，所述透明导电层位于所述DBR反射结构和p电极之间且延伸至未形成所述DBR反射结构的p型GaN层上，其中，所述n电极和p电极由反射金属构成。
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