[发明专利]一种多通道集成光耦器件及其制备方法有效
申请号: | 201310456024.3 | 申请日: | 2013-09-29 |
公开(公告)号: | CN103579282A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 董桂芳;段炼;李东;邱勇 | 申请(专利权)人: | 清华大学;北京维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/28 | 分类号: | H01L27/28;H01L51/42 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀丽 |
地址: | 100084 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明所述的一种多通道集成光耦器件,光耦单元设置在基板同侧,无需增大光耦单元面积就可实现有机电致发光部件和有机光敏部件的一一对应,且各独立光耦无需单独封装,集成度高;各光耦单元之间设置有不透光的隔离柱,相邻光耦单元之间无光信号串扰问题,抗干扰能力强;各部件为有机材料制成,使得所述多通道集成光耦器件具备柔性,轻、薄、体积小,适用范围广。本发明所述的一种多通道集成光耦器件的制备方法,采用有机薄膜器件制备工艺,将各光耦单元设置在基板同侧,集成度高,而且各光耦单元之间设置有不透光的隔离柱,相邻光耦单元之间无光信号串扰问题,抗干扰能力强且采用现有有机薄膜器件的生产工艺,工艺成熟、制备成本低。 | ||
搜索关键词: | 一种 通道 集成 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种多通道集成光耦器件,其特征在于:包括设置在基板同侧的多个光耦单元,相邻所述光耦单元之间设置有不透光且绝缘的隔离柱,所述隔离柱用于对相邻所述光耦单元进行光隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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