[发明专利]一种梳齿结构的微机电磁场传感器有效

专利信息
申请号: 201310456380.5 申请日: 2013-09-30
公开(公告)号: CN103499796A 公开(公告)日: 2014-01-08
发明(设计)人: 陈洁;周志浩;薛铭豪;景晟 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G01R33/02 分类号: G01R33/02;B81B3/00
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 杨晓玲
地址: 211103 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种梳齿结构的微机电磁场传感器,包括硅衬底、二氧化硅层、多晶硅层和氮化硅层,多晶硅层的中部设有梳齿梁,氮化硅层顶面四周设有锚区,梳齿梁的根部与锚区的一边固定连接,梳齿梁的顶部为第一梳齿,锚区的另一边中设有第二梳齿,第一梳齿和第二梳齿相互交叉配合,形成梳齿电容的两极;梳齿梁上表面布设有驱动金属线;锚区上设有电容上极板焊盘、电容底电极焊盘和驱动金属线焊盘;氮化硅层中设有第一通孔和第二通孔;梳齿梁通过第一通孔与电容上极板焊盘连接,构成电容上电极;多晶硅层通过第二通孔与电容底电极焊盘连接,构成电容底电极;多晶硅层中设有凹槽。该传感器可以测量磁场幅度,灵敏度高。
搜索关键词: 一种 梳齿 结构 微机 电磁场 传感器
【主权项】:
一种梳齿结构的微机电磁场传感器,其特征在于,该磁场传感器包括从下向上依次叠加设置的硅衬底(13)、二氧化硅层(12)、多晶硅层(11)和氮化硅层(10),二氧化硅层(12)的中部和多晶硅层(11)的中部均为空心,多晶硅层(11)的中部设有梳齿梁(1),梳齿梁(1)由多晶硅和氮化硅制成,氮化硅层(10)顶面四周设有锚区(3),梳齿梁(1)的根部与锚区(3)的一边固定连接,梳齿梁(1)的顶部为第一梳齿(7),锚区(3)的另一边设有第二梳齿(8),第一梳齿(7)和第二梳齿(8)相互交叉配合,形成梳齿电容的两极;梳齿梁(1)处于悬空状态;梳齿梁(1)上表面布设有驱动金属线(2);锚区(3)上设有电容上极板焊盘(5)、电容底电极焊盘(6)和驱动金属线焊盘(4);氮化硅层(10)中设有带有金属柱的第一通孔(14)和带有金属柱的第二通孔(15);梳齿梁(1)通过第一通孔(14)与电容上极板焊盘(5)连接,构成电容上电极;多晶硅层(11)通过第二通孔(15)与电容底电极焊盘(6)连接,构成电容底电极;多晶硅层(11)中设有凹槽(9)。
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