[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201310456840.4 | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103489921A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 曾勉;尹傛俊;涂志中;金在光 | 申请（专利权）人： | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/08;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 230012 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域。在不影响像素开口率的前提下，可以增大薄膜晶体管沟道的宽长比。该薄膜晶体管包括源极、漏极和栅极，以及半导体有源层。其中源极覆盖半导体有源层的四周，漏极位于半导体有源层的中心区域，在源极和漏极之间设有绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制造 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括源极、漏极和栅极，以及半导体有源层；所述源极覆盖所述半导体有源层的四周，所述漏极位于所述半导体有源层的中心区域，在所述源极和漏极之间设有绝缘层。
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