[发明专利]一种避免离子注入掺杂离子释气的方法无效
| 申请号： | 201310459703.6 | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103489763A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 洪齐元;黄海 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种避免离子注入掺杂离子释气的方法，包括以下步骤，步骤一：在硅衬底上注入参杂离子，得到参杂硅衬底；步骤二：在所述参杂硅衬底表面淀积一层非晶碳薄膜；步骤三：对经过步骤二的参杂硅衬底进行退火处理；步骤四：去除所述参杂硅衬底表面的非晶碳薄膜；步骤五：清洗所述参杂硅衬底。在在参杂硅衬底便面淀积一层非晶碳薄膜，由于非晶碳具有优异的阻隔性和稳定性，因此非晶碳薄膜在进行热退火工艺时能有效阻止掺杂离子发生释气现象，从而能有效避免在退火过程中掺杂区由于没有硅化金属阻止层而造成释气现象的发生，从而保证掺杂的硅衬底的电阻值和电学性能，进而提高产品的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 避免 离子 注入 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
一种避免离子注入掺杂离子释气的方法，其特征在于：包括以下步骤，步骤一：在硅衬底上注入参杂离子，得到参杂硅衬底；步骤二：在所述参杂硅衬底表面淀积一层非晶碳薄膜；步骤三：对经过步骤二的参杂硅衬底进行退火处理；步骤四：去除所述参杂硅衬底表面的非晶碳薄膜；步骤五：清洗所述参杂硅衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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