[发明专利]一种Zigbee的红外线传感器制作方法无效
申请号: | 201310459741.1 | 申请日: | 2013-09-29 |
公开(公告)号: | CN103515485A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 王萌;唐新来;李健军 | 申请(专利权)人: | 柳州市宏亿科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 广西南宁汇博专利代理有限公司 45114 | 代理人: | 邓晓安 |
地址: | 545006 广西壮族自治区*** | 国省代码: | 广西;45 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种Zigbee的红外线传感器,由红外线传感器电路、信号采集电路、Zigbee模块、天线、主机和电源模块组成,所述红外线传感器电路与信号采集电路相连,所述信号采集电路与Zigbee模块相连,所述Zigbee模块通过天线与主机相连,所述电源模块分别与红外线传感器电路、信号采集电路和Zigbee模块相连。该红外线传感器具有能检测是否有人入侵,且减少家庭布线,抗干扰能力强的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 zigbee 红外线 传感器 制作方法 | ||
【主权项】:
一种Zigbee的红外线传感器制作方法,其特征在于,按照如下步骤进行:(1)提供衬底;(2)在所述衬底中细加工形成多个凹槽,在所述凹槽内填充第一释放牺牲层,在所述衬底表面覆盖膜片;(3)在所述膜片上形成下部电极;(4)进行气相释放工艺去除第一释放牺牲层;(5)在所述膜片和下部电极上形成热电层;(6)在基片上表面上形成红外结构吸收层,在该基片中局部地形成多个像素,在该红外结构吸收层的形成步骤中,沉积一种胶质微粒的分散体,从而形成一种覆盖于所述基片的吸收层,所述吸收层在热电层的上面;(7)然后去除部分所述吸收层以便形成多个基本吸收区,它们分别与所述多个像素连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于柳州市宏亿科技有限公司,未经柳州市宏亿科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310459741.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:发光二极管的热应力释放结构
- 下一篇:一种基于无线信道的目标位姿图像测量方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的