[发明专利]一种铜阻挡层和铜晶籽层的形成方法有效
| 申请号： | 201310459902.7 | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103500728A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 洪齐元;黄海 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铜阻挡层和铜晶籽层的形成方法，包括以下步骤，步骤一，去气，对基板上的通孔或沟槽进行去气处理；步骤二，淀积第一铜阻挡层，在基板上的通孔或沟槽中淀积一层铜阻挡层；步骤三，淀积第二铜阻挡层，在上述步骤二的基础上，在所述第一铜阻挡层的表面继续淀积第二铜阻挡层，所述第一铜阻挡层的淀积速率小于所述第二铜阻挡层的淀积速率；步骤四，淀积铜晶籽层，在上述步骤三中的第二阻挡层表面淀积一层铜晶籽层。本发明一种铜阻挡层和铜晶籽层的形成方法中，在淀积铜阻挡层的过程中分两步进行，第一铜阻挡层的淀积速率小于第二铜阻挡层的淀积速率，此种方法可以对薄膜进行有效的应力释放，避免薄膜开裂，从而提高了产品的合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阻挡 铜晶籽层 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种铜阻挡层和铜晶籽层的形成方法，其特征在于：包括以下步骤，步骤一，去气，对基板上的通孔或沟槽进行去气处理；步骤二，淀积第一铜阻挡层，在基板上的通孔或沟槽中淀积一层铜阻挡层；步骤三，淀积第二铜阻挡层，在上述步骤二的基础上，在所述第一铜阻挡层的表面继续淀积第二铜阻挡层，所述第一铜阻挡层的淀积速率小于所述第二铜阻挡层的淀积速率；步骤四，淀积铜晶籽层，在上述步骤三中的第二阻挡层表面淀积一层铜晶籽层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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