[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构的形成方法包括：提供具有互连区的衬底；在衬底表面形成第一阻挡薄膜、导电薄膜、第二阻挡薄膜和第一介质薄膜；刻蚀部分第一介质薄膜、第二阻挡薄膜、导电薄膜和第一阻挡薄膜直至暴露出衬底表面为止，以在衬底的互连区表面形成第一阻挡层、第一导电层、第二阻挡层和第一介质层；在第一导电层的侧壁表面形成第三阻挡层；在衬底表面、第三阻挡层表面和第一介质层的侧壁表面形成第二介质层，第二介质层的表面与第一介质层表面齐平；去除部分第一介质层，在第二介质层和第一介质层内形成第二开口，第二开口底部暴露出部分第一导电层表面。所形成的半导体结构性能改善。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有互连区；在衬底表面形成第一阻挡薄膜、以及位于第一阻挡薄膜表面的导电薄膜，所述导电薄膜的形成方法包括：采用电镀工艺在所述第一阻挡层表面形成导电薄膜，采用电镀工艺形成的导电薄膜的厚度为1500埃～2500埃；对所述导电薄膜进行热退火，所述热退火的工艺为：温度为200摄氏度～450摄氏度，时间为5分钟～30分钟；在热退火之后，减薄所述导电薄膜的厚度；在所述导电薄膜表面形成第二阻挡薄膜、以及位于第二阻挡薄膜表面的第一介质薄膜；刻蚀部分所述第一介质薄膜、第二阻挡薄膜、导电薄膜和第一阻挡薄膜直至暴露出衬底表面为止，以在衬底的互连区表面形成第一阻挡层、位于第一阻挡层表面的第一导电层、位于第一导电层表面的第二阻挡层、以及位于第二阻挡层表面的第一介质层；在所述第一导电层的侧壁表面形成第三阻挡层；在所述衬底表面、第三阻挡层表面和第一介质层的侧壁表面形成第二介质层，所述第二介质层的表面与第一介质层表面齐平；去除部分第一介质层，在第二介质层和第一介质层内形成第二开口，所述第二开口底部暴露出部分第一导电层表面。