[发明专利]电子束缺陷扫描仪匹配度测试结构及测试方法

摘要

本发明涉及半导体技术领域，公开了一电子束缺陷扫描仪匹配度测试结构，包括第一、第二、第三灰阶度测试模块，分别包括具有第一、第二、第三灰阶度的金属连接通孔，基本涵盖了常规半导体器件中所涉及的具有不同扫描灰阶度的金属连接通孔结构，能够充分反应电子束缺陷扫描仪对待测晶圆中各类通孔结构的检测情况。本发明同时还提供了一基于上述测试结构的电子束缺陷扫描仪匹配度测试方法，以在线产品晶圆作为测试晶圆，不同的电子束缺陷扫描仪采用相同的图片抓取程式，选取不同晶圆，分别收集扫描区域第一、第二、第三灰阶度信息并进行比较，从而实现对工艺线上各电子束缺陷扫描仪匹配度的监控。

主权项

一种电子束缺陷扫描仪匹配度测试结构，置于在线产品晶圆上，包括一个或多个测试单元，其特征在于，所述测试单元包括第一灰阶度测试模块、第二灰阶度测试模块和第三灰阶度测试模块，所述第一、第二、第三灰阶度测试模块分别包括具有第一、第二、第三灰阶度的金属连接通孔；其中，所述第一灰阶度测试模块包括PMOS或N掺杂阱区中器件有源区的金属连接通孔，所述第二灰阶度测试模块包括P掺杂阱区中有源器件区或NMOS有源区的金属连接通孔，所述第三灰阶度测试模块包括NMOS或P掺杂阱区中器件栅极的金属连接通孔；所述测试单元设于在线产品晶圆的非量产芯片位置。