[发明专利]一种用于非晶碳沉积工艺中的清洗方法

摘要

本发明涉及一种用于非晶碳沉积工艺中的清洗方法，包括在等离子条件下对等离子腔体进行预清洗工艺步骤S1和对等离子腔体沉积环境保护薄膜工艺步骤S2；步骤S2具体包括将含有C2H2、Ar和He的气体通入等离子腔体中，在等离子腔体壁上沉积一层具有第一厚度的无掺氮非晶碳薄膜，以及将含有C2H2和N2的气体通入等离子腔体中，在无掺氮非晶碳薄膜上再生长一层具有第二厚度的掺氮非晶碳薄膜；其中，第二厚度小于第一厚度。因此，本发明避免了晶圆背面铝玷污，以及引起晶圆位置容易偏移的问题。

主权项

一种用于非晶碳沉积工艺中的清洗方法，其特征在于，包括在等离子条件下对等离子腔体进行预清洗工艺步骤S1和对等离子腔体沉积环境保护薄膜工艺步骤S2；所述环境保护薄膜工艺步骤S2具体包括如下步骤：步骤S21：将含有C2H2、Ar和He的气体通入所述的等离子腔体中，在所述的等离子腔体壁上沉积一层具有第一厚度的无掺氮非晶碳薄膜；步骤S22：将含有C2H2和N2的气体通入所述的等离子腔体中，在所述的无掺氮非晶碳薄膜上再生长一层具有第二厚度的掺氮非晶碳薄膜；其中，所述的第二厚度小于第一厚度。