[发明专利]钙钛矿基薄膜太阳电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201310461537.3 | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN103490011A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 孟庆波;石将建;李冬梅;罗艳红 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L51/44 | 分类号： | H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人： | 范晓斌;薛峰 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种钙钛矿基薄膜太阳电池及其制备方法。所述钙钛矿基薄膜太阳电池包括：透明衬底；在所述透明衬底上形成的透明导电层；在所述透明导电层上形成的且为半导体材料的致密层；在所述致密层上形成的多孔绝缘层；在所述多孔绝缘层上形成的多孔碳对电极层；以及填充在所述多孔绝缘层内部的孔隙中的具有钙钛矿结构的有机金属半导体吸光材料。本发明提供了碳对电极在钙钛矿基薄膜太阳电池中的应用。与现有的钙钛矿基薄膜太阳电池制备方法相比，本发明采用碳材料替代昂贵的贵金属材料作为对电极，成本大大降低。采用简单、快速、可规模化生产的丝网印刷法代替真空镀膜法，进一步节约了成本，有利于实现钙钛矿基薄膜太阳电池的工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿基 薄膜 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钙钛矿基薄膜太阳电池，包括：透明衬底；在所述透明衬底上形成的透明导电层；在所述透明导电层上形成的且为半导体材料的致密层；在所述致密层上形成的多孔绝缘层；在所述多孔绝缘层上形成的多孔碳对电极层；以及填充在所述多孔绝缘层内部的孔隙中的具有钙钛矿结构的有机金属半导体吸光材料。
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