[发明专利]一种抗侧摆三维引线成弧方法有效
申请号: | 201310461814.0 | 申请日: | 2013-09-30 |
公开(公告)号: | CN103500715A | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 王福亮;陈云;韩雷;李军辉 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人: | 黄美成 |
地址: | 410083 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种抗侧摆三维引线成弧方法,通过在三维空间的劈刀运动,形成真正意义上三维大跨度弧线,其最终的引线构型不仅仅在XOZ平面,而是分布在整个XYZ空间上,且引线在XOY平面上的投影关于两个焊点之间的连线的中点成中心对称。使得引线上三个折点的残余应力除了可以形成抵抗XOZ平面内变形的弯矩Mx1、Mx2和Mx3外,也能形成抵抗XOY平面内变形的弯矩Mz1、Mz2和Mz3。通过二者组合,使得引线可以抵御来自空间任意方向的外力和变形,形成稳定的、抗侧摆的三维大跨度弧线。 | ||
搜索关键词: | 一种 抗侧摆 三维 引线 方法 | ||
【主权项】:
一种抗侧摆三维引线成弧方法,其特征在于,以P点所在的芯片焊盘(3)的表面作为XPY平面,以P点所在的与XOY平面垂直的平面作为XOZ平面,将XOZ平面沿Y轴负方向平行移动得到的平面记为第一平行平面即X′O′Z′平面,X′O′Z′平面关于XOZ平面对称的平面记为第二平行平面;包括以下步骤:步骤1:在芯片焊盘中心点位置(4)P点形成第一焊点;步骤2:劈刀(5)在XOZ平面上从P点沿Z轴垂直向上运动50‑200微米至A点,同时释放出引线PA段;接着,劈刀(5)在XOZ平面从A点沿X轴负方向水平移动50‑400微米至B点,同时释放出引线AB段;步骤3:劈刀(5)从XOZ平面上的B点运动到X′O′Z′平面上的C点,同时释放引线BC段,B点的Z轴坐标正向增加1000‑1500微米,Y轴坐标减少50‑200微米,X轴坐标不变;接着劈刀(5)从X′O′Z′平面上的C点沿X轴正向运动100‑400微米至D点,同时释放出引线CD段;步骤4:劈刀(5)在X′O′Z′平面上的D点沿直线运动至X′O′Z′平面上的E点,同时释放引线DE段,D点的Z轴坐标增加1500‑2000微米,Y轴坐标增加100‑400微米,X轴坐标不变;步骤5:劈刀(5)以P点投影到第二平行平面上的点为圆心,PE长度为半径,从第二平行平面上的E点沿圆轨迹逆时针向下做大于角度S的运动到达F点,同时释放引线EF段;劈刀(5)以P点投影到第二平行平面上的点为中心,短轴为0F的长度,长轴为PF长度的1.1倍,从第二平行平面上的F点沿椭圆轨迹顺时针向上做大于角度S到达G点,同时释放引线FG段;步骤6:劈刀(5)从第二平行平面上的G点沿直线运动至XOZ平面上的H点,同时释放引线GH段,G点的Z轴坐标增加与PA的长度相同,Y轴坐标变为0,X轴坐标不变;接着,在XOZ平面上,劈刀(5)沿X轴正向移动至I点,HI长度与GH的长度相同;最后,以与步骤1中的芯片焊盘(3)相连的框架焊盘(7)中点为K点,劈刀(5)在XOZ平面上沿圆弧轨迹运动至K点,同时释放引线IK段,即完成从芯片焊盘到框架焊盘之间的引线搭建。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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