[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制造方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，该薄膜晶体管阵列基板采用顶栅结构，该薄膜晶体管阵列基板的制造方法通过3次掩模来制造TFT阵列基板，其中以铟镓锌氧化物来制造薄膜晶体管阵列基板中的薄膜晶体管，可以大大提高薄膜晶体管对像素电极的充电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，同时更快的响应也大大提高了像素的行扫描速率，使得超高分辨率在薄膜晶体管液晶显示器中成为可能；同时，该制造方法仅采用了3次掩模工艺，能显著的减少制程步骤，缩短制程时间，有效地降低生产成本，提高生产效率，增加产能。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该薄膜晶体管阵列基板采用顶栅结构，所述薄膜晶体管阵列基板的制造方法包括以下步骤：步骤1、提供一基板（21）；步骤2、在所述基板（21）上依次沉积形成缓冲层（22）、氧化物半导体薄膜（23）及第一金属层（24）；步骤3、在所述第一金属层（24）上形成第一光阻层，图案化该第一光阻层以在预定位置形成第一光阻图案（25），其包括对应氧化物半导体薄膜（23）的一沟道区的第一部分（26）、及第二部分（27），该第一光阻图案（25）在第二部分（27）的厚度厚于第一部分（26）的厚度；步骤4、蚀刻掉没有第一光阻图案（25）覆盖的区域的第一金属层（24）及氧化物半导体薄膜（23），去掉第一光阻图案（25）的第一部分（26）以露出第一金属层（24），以第一光阻图案（25）的第二部分（27）为掩模蚀刻掉第一金属层（24）以露出氧化物半导体薄膜（23），剥离第一光阻图案（25），以在第一金属层（24）形成源极（27）及漏极（28）；步骤5、在基板上依次沉积绝缘层（31）及第二金属层（32），图案化第二金属层（32）以形成栅极（33）。