[发明专利]光刻胶填充深孔的方法有效
| 申请号： | 201310462699.9 | 申请日： | 2013-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN103560108A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 李昭强;于大全;戴风伟;徐成 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 任益 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了深孔光刻胶填充方法，一种利用真空处理的方法，另一种深孔光刻胶填充方法，利用光刻胶溶剂进行浸润，本发明通过两次旋涂的方式，并且在第一次旋涂后，不经过软烘，可选择性的利用光刻胶溶剂进行润湿，使得光刻胶得以稀释，更有利于气泡的逃逸，然后将晶圆放置在真空设备中，使得TSV内部的气泡逃逸，一次旋涂可以对TSV侧壁部分浸润，有利于二次旋涂时孔的填充，之后进行第二次的旋涂，得到无孔填充。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 填充 方法 | ||
【主权项】：
一种深孔光刻胶填充方法，包括以下步骤：完成TSV的电镀填孔，实现金属互连；第一次旋涂工艺，使得光刻胶部分进入TSV；将旋涂后的晶圆放置到真空设备中，并抽真空，使得TSV孔内部残留的气体排出；对晶圆进行预烘烤，使得第一次涂覆的光刻胶固化；进行第二次旋涂工艺，使得光刻胶进行填充；进行第二次真空处理，使得TSV孔内部残留的气体排出；进行第二次预烘烤工艺，使得涂覆的光刻胶固化，从而使得TSV孔完全填充。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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