[发明专利]磁阻式随机存取存储器结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201310462757.8 | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104300080A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 徐晨祐;黄韦翰;刘世昌;蔡嘉雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁阻式随机存取存储器（MRAM）结构，包括底部电极结构。磁性隧道结（MTJ）元件位于底部电极结构上方。MTJ元件包括反铁磁材料层。铁磁固定层位于反铁磁材料层上方。隧道层位于铁磁固定层上方。铁磁自由层位于隧道层上方。铁磁自由层具有第一部分和消磁的第二部分。该MRAM结构还包括位于第一部分上方的顶部电极结构。本发明还公开了磁阻式随机存取存储器结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 随机存取存储器 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种磁阻式随机存取存储器（MRAM）结构，包括：底部电极结构；位于所述底部电极结构上方的磁性隧道结（MTJ）元件，所述MTJ元件包括：位于所述底部电极结构上方的反铁磁材料层；位于所述反铁磁材料层上方的铁磁固定层；位于所述铁磁固定层上方的隧道层；和位于所述隧道层上方的铁磁自由层，所述铁磁自由层具有第一部分和消磁的第二部分；以及位于所述第一部分上方的顶部电极结构。
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