[发明专利]三级整流半桥

摘要

本发明涉及一种三级整流半桥，其具有第一基板（2）和与之分开布置的第二基板（3），第一基板具有第一绝缘材料体（6a）和布置在其上的、导电的、结构化的第一线路层（7a），第一功率半导体开关（T1）、第二功率半导体开关（T2）、第一二极管（D1）和第一二极管组件（10）布置在结构化的第一线路层上并且与之连接，其中，第二基板具有第二绝缘材料体（6b）和布置在第二绝缘材料体上的、导电的、结构化的第二线路层（7b），第三功率半导体开关（T3）、第四功率半导体开关（T4）、第二二极管（D2）和第二二极管组件（11）布置在结构化的第二线路层上并且与结构化的第二线路层连接。本发明实现具有降低的开关过电压的三级整流半桥（1、1’）。

主权项

一种具有第一基板（2）和与第一基板（2）分开布置的第二基板（3）的三级整流半桥，其中，所述第一基板（2）具有第一绝缘材料体（6a）和布置在所述第一绝缘材料体（6a）上的、导电的、结构化的第一线路层（7a），其中，第一功率半导体开关（T1）、第二功率半导体开关（T2）、第一二极管（D1）和第一二极管组件（10）布置在所述结构化的第一线路层（7a）上并且与所述结构化的第一线路层（7a）连接；其中，所述第二基板（3）具有第二绝缘材料体（6b）和布置在所述第二绝缘材料体（6b）上的、导电的、结构化的第二线路层（7b）；其中，第三功率半导体开关（T3）、第四功率半导体开关（T4）、第二二极管（D2）和第二二极管组件（11）布置在所述结构化的第二线路层（7b）上并且与所述结构化的第二线路层（7b）连接；其中，所述第一功率半导体开关（T1）的第二负载电流接头（E）与所述第二功率半导体开关（T2）的第一负载电流接头（C）导电地连接；其中，所述第四功率半导体开关（T4）的第一负载电流接头（C）与所述第三功率半导体开关（T3）的第二负载电流接头（E）导电地连接；其中，所述第一二极管（D1）的阴极与所述第一功率半导体开关（T1）的第二负载电流接头（E）导电地连接；其中，所述第二二极管（D2）的阳极与所述第三功率半导体开关（T3）的第二负载电流接头（E）导电地连接；其中，所述第二功率半导体开关（T2）的第二负载电流接头（E）与所述第一二极管组件（10）的阴极接头导电地连接；其中，所述第三功率半导体开关（T3）的第一负载电流接头（C）与所述第二二极管组件（11）的阳极接头导电地连接；其中，所述第一功率半导体开关（T1）的第一负载电流接头（C）与所述第二二极管组件（11）的阴极接头导电地连接；其中，所述第四功率半导体开关（T4）的第二负载电流接头（E）与所述第一二极管组件（10）的阳极接头导电地连接；其中，所述第一二极管（D1）的阳极与所述第二二极管（D2）的阴极导电地连接；其中，所述第二功率半导体开关（T2）的第二负载电流接头（E）与所述第三功率半导体开关（T3）的第一负载电流接头（C）导电地连接。