[发明专利]一种芯片键合对准方法在审
申请号: | 201310463023.1 | 申请日: | 2013-10-08 |
公开(公告)号: | CN103500716A | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 宋崇申 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人: | 任益 |
地址: | 214135 江苏省无锡市菱*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种芯片键合对准方法,具有如下特征:在加工有用于芯片组装的金属焊接盘的下层芯片或晶圆上设置限位结构;所述限位结构突出于下层芯片或晶圆表面,利用所述限位结构的辅助,实现芯片对准键合;在键合对准过程中,至少一个所述限位结构的内壁与芯片边缘接触。本发明通过制作限位结构,辅助芯片对准,不需要精密设备,简单易行,通过优化控制过程,可以提供高效率、低成本键合对准解决方案。 | ||
搜索关键词: | 一种 芯片 对准 方法 | ||
【主权项】:
一种芯片键合对准方法,具有如下特征:在加工有用于芯片组装的金属焊接盘的下层芯片或晶圆上设置限位结构;所述限位结构突出于下层芯片或晶圆表面,利用所述限位结构的辅助,实现芯片对准键合;在键合对准过程中,至少一个所述限位结构的内壁与芯片边缘接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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