[发明专利]一种高介晶界层陶瓷电容器介质及其制备方法有效
| 申请号： | 201310463142.7 | 申请日： | 2013-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN103664163A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 黄新友;高春华;李军 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | C04B35/468 | 分类号： | C04B35/468;C04B35/622 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及无机非金属材料技术领域，特指一种高介晶界层陶瓷电容器介质及其制备方法，配方组成包括（重量百分比）：Ba(Ti0.9Sn0.1)O388-96%，Ba(Yb1/2Nb1/2)O30.1-3%，Dy2O30.1-4%，SiO20.1-2.0%,Al2O30.1-2.5%，BaCO30.03-4.0%，SiO2-Li2O-B2O3玻璃粉（SLB）0.1-2.0%，CuO0.01-3%。本发明采用常规的陶瓷电容器介质制备方法和空气中一次烧结工艺方法，利用电容器陶瓷普通化学原料，制备得到无铅、无镉的高介晶界层陶瓷电容器介质，还能降低电容器陶瓷的烧结温度，该介质适合于制备单片陶瓷电容器和单层片式陶瓷电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高介晶界层 陶瓷 电容器 介质 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高介晶界层陶瓷电容器介质，其特征在于所述介质组成按照重量百分比计算为：Ba(Ti0.9Sn0.1)O3 88‑96%，Ba(Yb1/2Nb1/2)O3 0.1‑3%，Dy2O3 0.1‑4%，SiO2 0.1‑2.0%, Al2O30.1‑2.5%，BaCO30.03‑4.0%，SiO2‑Li2O‑B2O3玻璃粉0.1‑2.0%，CuO0.01‑3%；其中Ba(Ti0.9Sn0.1)O3、Ba(Yb1/2Nb1/2)O3和SiO2‑Li2O‑B2O3玻璃粉分别采用常规的化学原料以固相法合成。
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