[发明专利]场效应半导体器件及其制造方法

摘要

场效应半导体器件及其制造方法。根据场效应半导体器件的实施例，该场效应半导体器件包括半导体本体和源电极。该半导体本体包括第一半导体材料的漂移区域、栅极区域和源极区域以及第二半导体材料的阳极区域，第一半导体材料具有第一带隙，第二半导体材料具有比第一带隙低的第二带隙。漂移区域是第一导电类型的。栅极区域与漂移区域形成pn结。源极区域是第一导电类型的，并与漂移区域电阻电连接，并且具有高于漂移区域的最大掺杂浓度。阳极区域是第二导电类型的，与漂移区域形成异质结，并且与源极区域间隔开。源极金属化部与源极区域和阳极区域电阻电连接。

主权项

一种场效应半导体器件，包括：‑第一带隙材料的半导体本体，其具有主表面，所述半导体本体在基本垂直于主表面的截面中包括：‑第一导电类型的漂移区域；‑第一导电类型的第一沟道区域，其与所述漂移区域邻接；‑第一栅极区域，其与所述第一沟道区域形成第一pn结；‑设置在所述第一栅极区域下面的第一体区，其与所述第一沟道区域形成第二pn结，使得所述第一沟道区域设置在所述第一pn结和所述第二pn结之间；和‑第一导电类型的第一源极区域，其具有高于所述第一沟道区域的最大掺杂浓度并且与所述第一沟道区域邻接；以及‑第二带隙材料的阳极区域，所述第二带隙材料具有比所述第一带隙材料低的带隙，所述阳极区域是第二导电类型的，并与所述漂移区域形成异质结，其中，当从上方看时，所述异质结和所述第一源极区域不重叠。