[发明专利]图形化光刻胶层的形成方法、晶圆级芯片封装方法在审
| 申请号： | 201310463712.2 | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104516194A | 公开（公告）日： | 2015-04-15 |
| 发明（设计）人： | 陈福成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;H01L21/3105;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种图形化光刻胶层的形成方法、晶圆级芯片封装方法，该封装方法在制作用来形成再布线的图形化光刻胶层中，先在基底上涂敷第一粘度的第一光刻胶层，所述第一粘度小于100cp，使得第一光刻胶层为低粘度光刻胶层，再在第一光刻胶层上涂敷第二粘度的第二光刻胶层，所述第二粘度大于第一粘度，然后再对第一光刻胶层和第二光刻胶层进行曝光、显影，由于低粘度光刻胶层的黏附性比高粘度光刻胶层的黏附性弱，因此，本发明中的图形化光刻胶层比现有图形化光刻胶层更容易被去除，使得位于通孔内的图形化光刻胶层不会有残留。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 光刻 形成 方法 晶圆级 芯片 封装 | ||
【主权项】：
一种图形化光刻胶层的形成方法，其特征在于，包括：在基底上涂敷第一粘度的第一光刻胶征层，所述第一粘度小于100cp；在所述第一光刻胶层上涂敷第二粘度的征第二光刻胶层，所述第二粘度大于第一粘度；对所述第二光刻胶层和第一光刻胶层进行曝光；曝光之后进行显影，以形成图形化光刻胶层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310463712.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
