[发明专利]键合基底及其形成方法、三维封装结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201310463714.1 | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104517921B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 陈福成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种键合基底及其形成方法、三维封装结构及其形成方法，所述键合基底包括晶圆；位于所述晶圆上的绝缘层、及多个焊盘，相邻两个所述焊盘被绝缘层隔开，所述焊盘包括焊盘底部、及位于所述焊盘底部上方的焊盘凸部，所述焊盘底部的上表面低于或齐平于绝缘层的上表面，所述焊盘凸部的上表面高于绝缘层的上表面，所述焊盘凸部在晶圆表面上的投影，位于所述焊盘底部在晶圆表面上的投影内。解决了现有利用金属‑金属键合方法形成三维封装结构的方法容易造成相邻两个焊盘短路的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 及其 形成 方法 三维 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种应用于三维封装的键合基底，其特征在于，包括：晶圆；位于所述晶圆上的绝缘层、及多个焊盘，相邻两个所述焊盘被绝缘层隔开，所述焊盘包括：焊盘底部、及位于所述焊盘底部上方的焊盘凸部，所述焊盘底部的上表面低于或齐平于绝缘层的上表面，所述焊盘凸部的上表面高于绝缘层的上表面，所述焊盘凸部在晶圆表面上的投影，位于所述焊盘底部在晶圆表面上的投影内；其中，所述焊盘底部和所述焊盘凸部，通过以掩模层为掩模进行刻蚀，以去除一定厚度的焊盘材料层而形成。
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