[发明专利]干刻蚀下部电极及干刻蚀装置有效
| 申请号： | 201310464514.8 | 申请日： | 2013-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN103500695A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 张定涛;郑云友;吴成龙;李伟;宋泳珍;崔泰城 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/02 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种干刻蚀下部电极及干刻蚀装置，属于等离子体刻蚀技术领域，以避免在下部电极与基板的接触区域内产生不良斑。所述干刻蚀下部电极，包括平板状的电极板，所述电极板上设有绝缘层，所述绝缘层具有凹凸不平的粗糙表面。本发明可用于高世代生产线中干刻蚀装置的下部电极。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 下部 电极 装置 | ||
【主权项】：
一种干刻蚀下部电极，其特征在于，包括平板状的电极板，所述电极板上设有绝缘层，所述绝缘层具有凹凸不平的粗糙表面。
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