[发明专利]一种黑体辐射标定热流计的方法

摘要

本发明公开一种黑体辐射标定热流计的方法，包括：将热流计放入黑体炉中，计算所述热流计所在位置的辐射热流密度qb-1，并测量所述热流计的输出电压E，得到标定系数α；其中，当所述热流计处于黑体炉的温度均匀区或温度非均匀区时，可以根据不同的计算公式得到辐射热流密度qb-1。本发明采用黑体辐射的方法标定热流传感器，将热流计放置在黑体炉管内部，相对于传统的黑体辐射标定方法，不但能够对处于黑体炉的温度均匀区的热流计进行标定，还可以针对传统上不能进行标定的非均匀区的热流计进行标定。

主权项

一种黑体辐射标定热流计的方法，其特征在于，包括：将热流计放入黑体炉中，计算所述热流计所在位置的辐射热流密度qb‑1，并测量所述热流计的输出电压E，得到标定系数α为 α = q b - 1 E 其中，当所述热流计处于黑体炉的温度均匀区时，通过公式qb‑1=σTb4，得到热流计所在位置的辐射热流密度qb‑1，其中，σ为斯蒂芬‑玻尔兹曼常数，等于5.67×10^‑8W/m2·K4，Tb为黑体腔底面的温度；当所述热流计处于黑体炉的温度非均匀区时，通过如下公式得到热流计所在位置的辐射热流密度qb‑1 q b - 1 = σ T b 4 F 1 - 2 + ∫ 0 L σT 3 x 4 dF 1 - 3 x 其中，σ为斯蒂芬‑玻尔兹曼常数，等于5.67×10^‑8W/m2·K4，Tb为黑体腔底面的温度，F1‑2为热流计端面到黑体腔底面的辐射角系数，T3x为微元体Δx的温度，该微元体温度均匀，L为黑体腔底面至热流计的距离，F1‑3x为热流计端面到微元体Δx端面的辐射角系数。