[发明专利]介电终止的超结FET

摘要

本发明揭示一种供在高电压应用中使用的介电终止的超结场效应晶体管FET架构。所述架构将介电终止添加到高电压超结工艺的一般特征。所述介电终止的FET DFET比常规的半导体终止的超结FET更紧凑且更可制造。

主权项

1.一种半导体设备，其包括：衬底，其具有第一导电类型的第一区；第二导电类型的多个阵列柱，其形成于所述衬底的第二区中且延伸到第一深度，其中所述第二区位于所述第一区内，且其中所述多个阵列柱实质上彼此平行；所述第二导电类型的边界柱，其沿着所述第二区的周边而形成且延伸到所述第一深度；多个阵列阱，其形成于所述衬底的所述第二区中且延伸到第二深度，其中每一阵列阱与所述阵列柱中的至少一者至少部分地共同延伸，且其中所述第一深度大于所述第二深度；偏置阱，其形成于所述衬底的所述第二区中且延伸到所述第二深度，其中所述偏置阱与所述阵列柱和所述边界柱中的至少一者至少部分地共同延伸；终止柱，其沿着所述第二区的所述周边形成于衬底的所述第一区中且延伸到第三深度，其中所述终止柱邻接所述边界柱，且其中所述第三深度大于所述第一深度；边界栅极电介质条带，其形成于所述偏置阱的至少一部分上方；多个阵列栅极电介质条带，其中每一阵列栅极电介质条带位于至少两个阵列柱之间，且其中每一阵列栅极电介质形成于两个阵列阱的至少一部分上方；边界栅极导体，其形成于所述终止柱的至少一部分上方以及所述边界栅极电介质条带的至少一部分上方；多个阵列栅极导体，其中每一阵列栅极导体形成于所述阵列栅极电介质条带中的至少一者的至少一部分上方；第一电极，其形成于所述衬底的所述第二区的至少一部分上方，以便将所述多个阵列阱和边界阱耦合在一起；第二电极，其形成于所述终止柱的至少一部分上方，以便将多个阵列栅极导体和所述边界栅极导体耦合在一起；以及第三导体，其沿着所述第一区的所述周边形成于所述衬底上方。