[发明专利]非水二次电池有效

专利信息
申请号: 201310466861.4 申请日: 2011-09-12
公开(公告)号: CN103560225A 公开(公告)日: 2014-02-05
发明(设计)人: 田中齐景;稻叶章;山田将之;芳屋正幸 申请(专利权)人: 日立麦克赛尔株式会社
主分类号: H01M4/133 分类号: H01M4/133;C01B33/113;H01M4/36;H01M4/48;H01M4/587;H01M10/052
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 钟晶;於毓桢
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种非水二次电池,所述非水二次电池的特征在于,是包含正极、负极、非水电解质和隔板的非水二次电池,上述负极含有负极活性物质,所述负极活性物质包含:在构成元素中含有Si和O的芯材的表面形成碳的被覆层而成的复合体,上述复合体中的碳含量为10~30质量%,以激光波长532nm测定上述复合体的拉曼光谱时,来源于Si的510cm-1的峰强度I510与来源于碳的1343cm-1的峰强度I1343的强度比I510/I1343为0.25以下,以使用了CuKα射线的X射线衍射法测定上述芯材所包含的Si相的微晶尺寸时,Si的(111)衍射峰的半宽度小于3.0°。
搜索关键词: 二次 电池
【主权项】:
一种非水二次电池,其特征在于,是包含正极、负极、非水电解质和隔板的非水二次电池,所述负极含有负极活性物质,所述负极活性物质含有:在构成元素中含有Si和O的芯材的表面形成碳的被覆层而成的复合体,所述复合体中的碳含量为10~30质量%,以激光波长532nm测定所述复合体的拉曼光谱时,来源于Si的510cm‑1的峰强度I510与来源于碳的1343cm‑1的峰强度I1343的强度比I510/I1343为0.25以下,以使用了CuKα射线的X射线衍射法测定所述芯材所包含的Si相的微晶尺寸时,Si的(111)衍射峰的半宽度小于3.0°。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立麦克赛尔株式会社,未经日立麦克赛尔株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310466861.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top