[发明专利]于通孔底部具有自形成阻障层的半导体装置

摘要

提供一种于通孔底部具有自形成阻障层的半导体装置。一般而言，该装置通过设置金属层、设置在该金属层上的覆盖层(cap layer)及位于该覆盖层上的超低k材料层来形成。接着穿过该超低k材料层及覆盖层来形成通孔。该通孔一旦形成即对该通孔底部表面选择性地施加阻障层(例如，钴(Co)、钽(Ta)、钴钨磷化物(CoWP)、或其它能够作用为铜(Cu)扩散阻障体的金属)。然后对该通孔的一组侧壁施加衬层(例如，锰(Mn)或铝(Al))。该通孔可接着以后续金属层(有或无种晶层)填充，并且可更进一步处理(例如，退火)该装置。

主权项

一种用于在半导体装置中形成阻障层的方法，其包含：沿着该半导体装置的通孔的底部表面施加该阻障层，该阻障层沿着该半导体装置的金属层而形成，且该通孔具有自该底部表面延伸至第一高度的一组侧壁；沿着该通孔的该一组侧壁施加衬层直到该第一高度；以及将该半导体装置退火，以把该衬层转换成硅化物而保持该阻障层完整。