[发明专利]一种GaN基宽蓝光波长LED外延片及其应用无效
| 申请号： | 201310466986.7 | 申请日： | 2013-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN103515497A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 章勇;肖汉章;李正凯;罗长得 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510631 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种GaN基宽蓝光波长LED外延片及其应用，其目的在于解决窄蓝光波长芯片激发黄光荧光粉封装白光LED的显色性不足的问题。该InGaN/GaN多量子阱宽蓝光波长LED外延结构从衬底开始，依次为GaN缓冲层、GaN本征层、n-GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p-AlGaN层和p-GaN层，其特点是在于InGaN/GaN多量子阱活性层的InGaN阱层的厚度从n-GaN到p-GaN方向逐渐增大，而GaN垒层厚度从n-GaN到p-GaN方向逐渐减小。并将这种宽蓝光波长芯片与黄光荧光粉封装成白光LED可以实现高显色性白光发射。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 基宽蓝光 波长 led 外延 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种GaN基宽蓝光波长LED外延片，从衬底开始，依次为GaN缓冲层、GaN本征层、n‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p‑AlGaN层和p‑GaN层，所述的InGaN/GaN多量子阱层由InGaN阱层和GaN垒层交替叠加而成，其特征在于，所述的InGaN/GaN多量子阱活性层的InGaN阱层的厚度从n‑GaN到p‑GaN方向逐渐增大，所述的InGaN/GaN多量子阱活性层的GaN垒层厚度从n‑GaN到p‑GaN方向逐渐减小。
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