[发明专利]一种高效铸锭的诱导长晶工艺有效
| 申请号： | 201310467019.2 | 申请日： | 2013-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN103510157A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 李鹏廷;王峰;任世强;熊华江;谭毅;姜大川;黄佳琪;邵伟;刘燕 | 申请（专利权）人： | 青岛隆盛晶硅科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266234 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于多晶硅铸锭领域，特别涉及一种高效铸锭的诱导长晶工艺。包括装料抽真空、加热熔化、诱导长晶、退火冷却，装料时，首先在方形石英坩埚底部平铺一层半圆柱状的单晶硅硅料，单晶硅硅料的矩形平面紧贴坩埚底上表面，且相邻单晶硅硅料紧密排布；方形石英坩埚内壁贴壁放置平滑的方形多晶硅硅料，贴满整个坩埚内壁，且保证方形多晶硅硅料之间没有间隙；在其余位置填充多晶硅碎料，最后上层放置方形多晶硅硅料；在熔化过程中，保证方形石英坩埚底部单晶硅硅料的温度低于1380℃。采用该工艺方法，通过半圆柱形单晶硅硅料诱导晶体长晶从而实现高效铸锭，使光电转换效率提高0.1%，节约生产成本5%以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高效 铸锭 诱导 工艺 | ||
【主权项】：
一种高效铸锭的诱导长晶工艺，包括装料抽真空、加热熔化、诱导长晶、退火冷却，其特征在于装料时，首先在方形石英坩埚底部平铺一层半圆柱状的单晶硅硅料，单晶硅硅料的矩形平面紧贴坩埚底上表面，且相邻单晶硅硅料紧密排布；方形石英坩埚内壁贴壁放置平滑的方形多晶硅硅料，贴满整个坩埚内壁，且保证方形多晶硅硅料之间没有间隙；在其余位置填充多晶硅碎料，最后上层放置方形多晶硅硅料；在熔化过程中，保证方形石英坩埚底部单晶硅硅料的温度低于1380℃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于青岛隆盛晶硅科技有限公司，未经青岛隆盛晶硅科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310467019.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：快速修复合金轴瓦的方法
- 下一篇：一种消暑冬瓜酸奶
