[发明专利]一种镍硅合金铸锭的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310467928.6 申请日: 2013-09-29
公开(公告)号: CN103451458A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 刘洋;侯军涛;郭磊 申请(专利权)人: 西安瑞福莱钨钼有限公司
主分类号: C22C1/02 分类号: C22C1/02;C22C19/03
代理公司: 西安创知专利事务所 61213 代理人: 谭文琰
地址: 710201 陕西省西安市*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种镍硅合金铸锭的制备方法,包括以下步骤:一、将镍条和硅粉混合均匀后用镍箔包制成合金包,然后压制成熔炼电极;二、进行第一次真空自耗电弧熔炼,得到第一锭坯;三、计算出第一锭坯中硅的质量百分含量;四、计算出需添加硅的理论质量mSi;五、在第一锭坯上钻设盲孔,将质量为1.5mSi~1.6mSi的硅粉加入盲孔中,然后进行第二次真空自耗电弧熔炼,得到第二锭坯;六、进行第三次真空自耗电弧熔炼,得到要求的镍硅合金铸锭。本发明生产成本低,生产工艺简单,可重复性强,成品率高,适于工业化大规模生产;采用本发明制备的镍硅合金铸锭中硅含量准确可控,分布均匀性好,致密程度高。
搜索关键词: 一种 合金 铸锭 制备 方法
【主权项】:
1.一种镍硅合金铸锭的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:步骤一、根据所需制备的镍硅合金铸锭的设计成分称取镍条、硅粉和镍箔,将镍条和硅粉混合均匀后用镍箔进行包覆,制成合金包,然后利用油压机对合金包进行压制,得到熔炼电极;步骤二、将步骤一中所述熔炼电极置于真空自耗电弧炉中,在真空度不大于8.0×10-2Pa的条件下进行第一次真空自耗电弧熔炼,水冷后扒去表面氧化皮,得到第一锭坯;所述第一次真空自耗电弧熔炼的熔炼参数为:熔化电流800A~950A,熔化电压27V~28V,稳弧电流5A~6A;步骤三、采用排水法测得步骤二中所述第一锭坯的密度ρNiSi-1,然后根据公式计算出第一锭坯中硅的质量百分含量x,其中,ρNi为镍的密度,ρSi为硅的密度,ρNi、ρSi和ρNiSi-1的单位均为g/cm3;步骤四、根据公式计算出需添加硅的理论质量mSi,其中,y为需制备的镍硅合金铸锭中硅的质量百分含量,mNiSi-1为第一锭坯的质量,mSi和mNiSi-1的单位均为g;步骤五、在第一锭坯上钻设盲孔,将质量为1.5mSi~1.6mSi的硅粉加入盲孔中,然后将加有硅粉的第一锭坯置于真空自耗电弧炉中,在真空度不大于8.0×10-2Pa的条件下进行第二次真空自耗电弧熔炼,水冷后扒去表面氧化皮,得到第二锭坯;所述第二次真空自耗电弧熔炼的熔炼参数为:熔化电流800A~950A,熔化电压27V~28V,稳弧电流5A~6A;步骤六、将步骤五中所述第二锭坯置于真空自耗电弧炉中,在真空度不大于8.0×10-2Pa的条件下进行第三次真空自耗电弧熔炼,水冷后扒去表面氧化皮,得到镍硅合金铸锭;所述镍硅合金铸锭中硅的质量百分含量y为4%~15%,余量为镍;所述第三次真空自耗电弧熔炼的熔炼参数为:熔化电流800A~950A,熔化电压27V~28V,稳弧电流5A~6A。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安瑞福莱钨钼有限公司,未经西安瑞福莱钨钼有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310467928.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top