[发明专利]一种钛铌铁酸盐或铌铁酸盐外延薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201310468628.X | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN103526284A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 汪宏;曾一 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C30B23/08 | 分类号： | C30B23/08;C30B29/22 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 汪人和 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种钛铌铁酸盐或铌铁酸盐外延薄膜及其制备方法和应用，该外延薄膜为在单晶基片上外延生长的Ca(Fe,Nb)(1-x)/2TixO3薄膜组成，其中0≤x＜1。制备方法为：利用射频磁控溅射的方法，以Ca(Fe,Nb)(1-x)/2TixO3多晶为靶材，在600～800℃下，氧压为1～5mbar，在单晶基片上外延生长Ca(Fe,Nb)(1-x)/2TixO3薄膜，溅射结束后自然降至室温，得到钛铌铁酸钙外延薄膜。本发明制作工艺简单，制备过程对环境无污染，制得的外延薄膜低频下介电性能波动小、热性能稳定性好，并且可以应用于制备微波元器件和齐纳二极管等对温度湿度要求较高的精密元器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钛铌铁酸盐 铌铁酸盐 外延 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种钛铌铁酸盐或铌铁酸盐外延薄膜，其特征在于，该外延薄膜为在单晶基片上外延生长的Ca(Fe,Nb)(1‑x)/2TixO3薄膜，其中0≤x＜1。
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