[发明专利]基于MoS2、MoSe2二维纳米片的饱和吸收体器件在审
| 申请号： | 201310468689.6 | 申请日： | 2013-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN104158079A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 王俊;王康鹏;张龙;王高中;张赛锋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H01S3/11 | 分类号： | H01S3/11;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种基于MoS2、MoSe2二维纳米片的可饱和吸收体器件，包括封装在透明容器内作为可饱和吸收体的纳米材料和承载该可饱和吸收体的基体，所述的可饱和吸收体的纳米材料是MoS2、或MoSe2二维纳米片。本发明具有廉价、适合大规模制备、体积小、可组成多种类型的锁模器件的优点，尤其适用于光纤激光器的应用环境。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 mos sub mose 二维 纳米 饱和 吸收体 器件 | ||
【主权项】：
一种基于MoS2、MoSe2二维纳米片的可饱和吸收体器件，包括封装在透明容器内作为可饱和吸收体的纳米材料和承载该可饱和吸收体的基体，其特征在于：所述的可饱和吸收体的纳米材料是MoS2、或MoSe2二维纳米片。
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