[发明专利]半导体装置的硅穿孔双向修补电路有效

专利信息
申请号: 201310469842.7 申请日: 2013-10-10
公开(公告)号: CN103915419B 公开(公告)日: 2018-03-06
发明(设计)人: 曾珮玲;苏耿立 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: H01L23/58 分类号: H01L23/58;H01L25/16
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种半导体装置的硅穿孔双向修补电路。硅穿孔双向修补电路包括第一及第二双向开关以及至少两个传输路径模块。第一及第二双向开关依据切换信号或反相切换信号以决定导引第一芯片或第二芯片的输入信号到各个传输路径模块的两端的其中一个。每个传输路径模块包括至少两个数据路径电路及对应的硅穿孔。各个数据路径电路包括输入驱动电路、短路侦测电路以及漏电流消除电路。短路侦测电路侦测直通硅晶穿孔是否与硅基板发生短路,并产生短路侦测输出信号。漏电流消除电路依据短路侦测输出信号以避免由第一准位电压所产生的漏电流流入硅基板。
搜索关键词: 半导体 装置 穿孔 双向 修补 电路
【主权项】:
一种半导体装置的硅穿孔双向修补电路,包括:第一芯片以及第二芯片,该第一芯片与该第二芯片相互上下堆迭;第一双向开关以及第二双向开关,分别设置于该第一芯片以及该第二芯片,该第一双向开关及该第二双向开关分别接收切换信号及反相切换信号以决定导引该第一芯片或该第二芯片的输入信号到其输出端;至少两个传输路径模块,各该传输路径模块的两端分别连接该第一双向开关的输出端以及该第二双向开关的输出端,且各该传输路径模块包括至少一硅穿孔;以及第一输出逻辑电路以及第二输出逻辑电路,分别设置于该第二芯片以及该第一芯片,该第一输出逻辑电路的至少两输入端以及该第二输出逻辑电路的至少两输入端分别连接该至少一硅穿孔的第二端以及第一端以分别接收至少两个第一传输信号以及至少两个第二传输信号,从而分别产生第一输出信号以及第二输出信号,其中,每个传输路径模块包括:该至少一硅穿孔,各该硅穿孔分别穿透硅基板以相互传递该第一芯片与该第二芯片之间的信号;第一数据路径电路以及第二数据路径电路,分别设置于该第一芯片以及该第二芯片,该第一数据路径电路的输入端以及该第二数据路径电路的输入端分别连接该第一双向开关的输出端以及第二双向开关的输出端以接收该第一芯片的输入信号或该第二芯片的输入信号,且该第一数据路径电路的输出端以及该第二数据路径电路的输出端分别连接该至少一硅穿孔的第一端以及第二端,以透过该至少一硅穿孔且依据该切换信号或该反相切换信号传递数据;以及其中该第一数据路径电路以及该第二数据路径电路分别包括:输入驱动电路,接收该输入信号,依据第一准位电压与第二准位电压以转换该输入信号为待传信号,并将该待传信号传送至该至少一硅穿孔的对应端点;短路侦测电路,连接该至少一硅穿孔的对应端点,依据该输入信号、该反相切换信号或该切换信号以及该至少一硅穿孔对应端点的电位以侦测该至少一硅穿孔是否与该硅基板发生短路,并产生短路侦测输出信号;以及漏电流消除电路,连接该短路侦测电路以及该输入驱动电路,依据该短路侦测输出信号以避免由该第一准位电压所产生的漏电流流入该硅基板。
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