[发明专利]应用于多晶硅铸锭的双电源自适应控制工艺有效
| 申请号： | 201310470522.3 | 申请日： | 2013-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN103541002A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 姜召;王峰;谭毅;李鹏廷;刘东雷;熊华江;姜大川 | 申请（专利权）人： | 青岛隆盛晶硅科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266234 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于多晶硅铸锭工艺，具体涉及一种应用于多晶硅铸锭的双电源自适应控制工艺，在铸锭工艺的各个环节中自主分配顶部热场变压器功率P1与侧面热场变压器功率P2，实现功率分配不再是固定值，不再恒定不变，从而提高多晶硅铸锭效率。本发明的优点在于：（1）通过对长晶过程中温度梯度的精确控制来提高长晶质量，从而使多晶硅铸锭加工生成的电池片的光电转换效率提高0.1%以上，而目前工艺最高仅有17.6%；（2）通过对温度的精确控制和能源的合理分配，减少不必要的能源损耗，使耗电量降低10%。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 多晶 铸锭 双电源 自适应 控制 工艺 | ||
【主权项】：
一种应用于多晶硅铸锭的双电源自适应控制工艺，包括装料抽真空、熔化保温、长晶、退火、降温和开方，其特征在于熔化保温至退火过程中，铸锭炉内的顶部热场变压器功率P1与侧面热场变压器功率P2的调节按照以下工艺进行：（1）熔化保温：先采用功率控制模式，通过自适应系统分配功率P1：P2=1：1，使得石英坩埚内温度达到多晶硅料的熔化温度，然后采用温度控制模式，通过自适应系统分配功率P1：P2=1：1.5～2.5，控制熔化温度不变进行保温，直至多晶硅料完全熔化；（2）长晶：在长晶过程中，通过自适应系统分配功率P1：P2=1：1～1.75；（3）退火：在退火过程中，通过自适应系统分配功率P1：P2=1：1～2。
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