[发明专利]一种反熔丝结构有效
| 申请号： | 201310471001.X | 申请日： | 2013-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN104576600B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 冯军宏;甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种反熔丝结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的栅极介电层；位于所述栅极介电层上的金属栅极阵列，所述金属栅极阵列包括若干金属栅极条。本发明为了解决现有技术中存在的各种问题，提供了一种反熔丝结构，其中，所述金属栅极阵列可以为若干平行的金属栅极条并列排列设置或者横向纵向的金属栅极条相互交错形成网格状结构，所述若干平行的金属栅极条设置于同一平面上，编程时，在所述金属栅极阵列上施加电压，所述金属栅极阵列中的高K介电层被击穿即实现所述反熔丝结构的编程，所述结构可以降低反熔丝结构的编程电压，提高器件的稳定性和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 金属栅极 反熔丝 栅极介电层 衬底 编程 半导体 平行 网格状结构 高K介电层 编程电压 并列排列 横向纵向 交错形成 施加电压 击穿 良率 | ||
【主权项】：
1.一种反熔丝结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的栅极介电层；位于所述栅极介电层上的金属栅极阵列，所述金属栅极阵列包括若干相互电连接的金属栅极条，所述若干金属栅极条为彼此交叉的网格形状结构；所述反熔丝结构还包括金属连接线，以将所述若干金属栅极条连接为一体，所述金属栅极条和所述金属连接线之间通过金属接触孔连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310471001.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：图像修正方法、图像修正装置和视频系统
- 下一篇：芯片安装方法以及芯片封装体
