[发明专利]清洗用于混合接合的衬底表面的机制有效
| 申请号： | 201310471415.2 | 申请日： | 2013-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN104347349B | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 陈升照;黄志辉;杜友伦;吴政达;蔡嘉雄;陈晓萌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/60;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于清洗用来混合接合的半导体晶圆表面的机制的实施例。一种用于清洗用来混合接合的半导体晶圆的表面方法包括提供半导体晶圆，并且半导体晶圆具有嵌入在绝缘层中的导电焊盘。该方法还包括对半导体晶圆的表面实施等离子体工艺，并且在导电结构的表面上形成金属氧化物。该方法还包括使用清洗液实施清洗工艺，以与金属氧化物进行还原反应，使得在导电结构的表面上形成金属‑氢键。该方法还包括在真空下将半导体晶圆传送至接合室，以用于混合接合。本发明还提供了用于混合接合的机制和集成系统的实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 用于 混合 接合 衬底 表面 机制 | ||
【主权项】：
一种清洗用于混合接合的半导体晶圆表面的方法，包括：提供半导体晶圆，所述半导体晶圆具有嵌入在绝缘层中的导电焊盘和形成在所述导电焊盘的表面上的金属氧化物层；对所述半导体晶圆的表面实施等离子体工艺；在所述等离子体工艺之后，使用还原金属氧化物层并包括氢离子的清洗液对所述半导体晶圆的表面实施清洗工艺，所述金属氧化物层被还原形成金属的络合物，所述络合物与所述氢离子反应，并且在所述导电焊盘的表面上形成金属‑氢键；以及在真空下，将所述半导体晶圆传送至接合室以实施混合接合，其中，所述清洗液包括：柠檬酸、氢氟酸(HF)，所述氢氟酸(HF)的浓度在0.1％至0.5％的范围内。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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