[发明专利]一种在衬底减薄工艺中的粘片方法无效
| 申请号： | 201310472778.8 | 申请日： | 2013-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN103489755A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 郑英奎;杜萌;王鑫华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在衬底减薄工艺中的粘片方法，该方法包括：在衬底正面涂覆电子束光刻胶；在电子束光刻胶上涂覆PMGI层；采用高温蜡将衬底正面粘贴在减薄片托上；采用低温蜡将减薄片托粘贴在减薄玻璃片上；对衬底背面进行减薄工艺；去低温蜡，将减薄片托连同衬底从减薄玻璃片上取下；以及完成后续其它背面工艺之后的去胶，使衬底和减薄片托分离。利用本发明，有效解决了光刻胶和高温蜡的互溶问题，提高了减薄工艺的减薄工艺的工艺效率和工艺成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 工艺 中的 方法 | ||
【主权项】：
一种在衬底减薄工艺中的粘片方法，其特征在于，该方法包括：在衬底正面涂覆电子束光刻胶；在电子束光刻胶上涂覆PMGI层；采用高温蜡将衬底正面粘贴在减薄片托上；采用低温蜡将减薄片托粘贴在减薄玻璃片上；对衬底背面进行减薄工艺；去低温蜡，将减薄片托连同衬底从减薄玻璃片上取下；以及完成后续其它背面工艺之后的去胶，使衬底和减薄片托分离。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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