[发明专利]一种对InP基RFIC晶圆进行电化学减薄抛光的方法有效
| 申请号： | 201310473279.0 | 申请日： | 2013-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN103500707A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 汪宁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对InP基RFIC晶圆进行电化学减薄抛光的方法，包括：对InP基RFIC晶圆进行清洗；在InP基RFIC晶圆表面涂覆光刻胶；对InP基RFIC晶圆进行电极图形光刻；对InP基RFIC晶圆制作金属电极；对InP基RFIC晶圆进行清洗；对InP基RFIC晶圆进行快速合金；在InP基RFIC晶圆表面涂覆光刻胶；对InP基RFIC晶圆进行引线图形光刻；对InP基RFIC晶圆制作引线金属；将InP基RFIC晶圆连入导线；对InP基RFIC晶圆进行电化学抛光；对InP基RFIC晶圆进行剥离，完成减薄抛光。本发明有效的避免了机械减薄造成的损伤，实现了减薄抛光过程中的应力释放，实现了衬底抛光面的镜面效果，为解决InP超薄厚度的减薄抛光工艺难题提供了新的解决手段。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 inp rfic 进行 电化学 抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种对InP基RFIC晶圆进行电化学减薄抛光的方法，其特征在于，包括：步骤1：对InP基RFIC晶圆进行清洗；步骤2：在InP基RFIC晶圆表面涂覆光刻胶；步骤3：对InP基RFIC晶圆进行电极图形光刻；步骤4：对InP基RFIC晶圆制作金属电极；步骤5：对InP基RFIC晶圆进行清洗；步骤6：对InP基RFIC晶圆进行快速合金；步骤7：在InP基RFIC晶圆表面涂覆光刻胶；步骤8：对InP基RFIC晶圆进行引线图形光刻；步骤9：对InP基RFIC晶圆制作引线金属；步骤10：将InP基RFIC晶圆连入导线；步骤11：对InP基RFIC晶圆进行电化学抛光；步骤12：对InP基RFIC晶圆进行剥离，完成减薄抛光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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