[发明专利]一种薄膜晶体管制作方法、薄膜晶体管及显示设备有效
| 申请号： | 201310473410.3 | 申请日： | 2013-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN103500710A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 王美丽;姜春生;王东方;刘凤娟 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管制作方法、薄膜晶体管及显示设备，涉及显示技术，在有源层材料的迁移率大于设定阈值时，为避免有源层迁移率高而导致漏电流大，对有源层进行离子注入，增大有源层表面的离子化合键的能量，从而减少空位形成的几率及降低载流子浓度，降低有源层表面的迁移率，进而降低漏电流，调节阀值电压向正方向移动，提高薄膜晶体管性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 制作方法 显示 设备 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管制作方法，其特征在于，包括：形成迁移率大于设定阈值的有源层图案；对有源层图案进行离子注入，其中，所注入的离子形成的化合键的能量大于所述有源层材料中离子形成的化合键的能量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
