[发明专利]可变电阻存储器件及其驱动方法

摘要

提供了一种可变电阻存储器件及其驱动方法。所述可变电阻存储器件包括：基底层；柱状栅电极，所述柱状栅电极形成在基底层上，并且与基底层的表面大体垂直地延伸。电流传输层被形成为包围柱状栅电极。可变电阻层形成在电流传输层的外部。阻挡层基于施加至柱状栅电极的电压来阻断流经电流传输层的电流路径，并将流经电流传输层的电流转向可变电阻层。

主权项

1.一种可变电阻存储器件，包括：基底层；柱状栅电极，所述柱状栅电极形成在所述基底层上，并且与所述基底层的表面大体垂直地延伸；电流传输层，所述电流传输层被形成为包围所述柱状栅电极；可变电阻层，所述可变电阻层形成在所述电流传输层的外部；以及阻挡层，所述阻挡层被配置成：基于施加至所述柱状栅电极的电压来阻断流经所述电流传输层的电流路径，以及将流经所述电流传输层的电流转向所述可变电阻层，其中，所述柱状栅电极由导电材料形成，并且所述电流传输层由预定导电型的半导体层形成，所述可变电阻存储器件还包括：结层，所述结层插入在所述柱状栅电极和所述电流传输层之间；以及栅绝缘层，所述栅绝缘层插入在所述柱状栅电极和所述结层之间。