[发明专利]LDMOS的制造方法在审
| 申请号： | 201310473674.9 | 申请日： | 2013-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN104576499A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 黄晨 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LDMOS的制造方法，该方法包括：A.提供一基底，在基底定义的LDMOS区中形成两个具有台阶状的浅沟槽隔离STI，所述两个具有台阶状的STI分别位于要形成的第一漂移区和第二漂移区中，且在第一漂移区中位于要形成的源极与多晶硅栅极之间，在第二漂移区中位于要形成的漏极与多晶硅栅极之间；B.在LDMOS区进行离子注入形成阱；C.在所述阱内离子注入形成位于栅极结构两侧对称设置的第一漂移区和第二漂移区；D.在第一漂移区和第二漂移区之间的基底表面形成栅极结构；E.分别在第一漂移区和第二漂移区中进行掺杂形成源极和漏极。采用本发明能够降低LDMOS的热载流子效应。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管LDMOS的制造方法，该方法包括以下步骤：A、提供一基底，在基底定义的LDMOS区中形成两个具有台阶状的浅沟槽隔离STI，所述两个具有台阶状的STI分别位于要形成的第一漂移区和第二漂移区中，且在第一漂移区中位于要形成的源极与多晶硅栅极之间，在第二漂移区中位于要形成的漏极与多晶硅栅极之间；B、在LDMOS区进行离子注入形成阱；C、在所述阱内离子注入形成位于栅极结构两侧对称设置的第一漂移区和第二漂移区；D、在第一漂移区和第二漂移区之间的基底表面形成栅极结构；E、分别在第一漂移区和第二漂移区中进行掺杂形成源极和漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
