[发明专利]一种对RRAM存储器脉冲参数进行测试的方法无效
| 申请号： | 201310474111.1 | 申请日： | 2013-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN103531248A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 龙世兵;王国明;张美芸;李阳;吕杭炳;刘琦;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对RRAM存储器脉冲参数进行测试的方法，包括：判断RRAM器件当前所处的状态，然后在一定电压下根据RRAM器件所处状态产生脉冲宽度Ll=L的擦除脉冲或脉冲宽度H1=H的编程脉冲对RRAM器件进行擦除或编程操作，在擦除或编程操作后再次判断RRAM所处状态，直至RRAM器件所处状态发生改变，否则产生脉冲宽度Ln=L+(n-1)ΔL的擦除脉冲或脉冲宽度Hn=H+(n-1)ΔH的编程脉冲对RRAM器件进行擦除或编程操作，n为自然数，记录最后使RRAM器件状态发生改变的脉冲宽度Ln或Hn，即得到擦除速度或编程速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 rram 存储器 脉冲 参数 进行 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种对RRAM存储器脉冲参数进行测试的方法，其特征在于，该方法包括：判断RRAM器件当前所处的状态，然后在一定电压下根据RRAM器件所处状态产生脉冲宽度L1＝L的擦除脉冲或脉冲宽度H1＝H的编程脉冲对RRAM器件进行擦除或编程操作，在擦除或编程操作后再次判断RRAM所处状态，直至RRAM器件所处状态发生改变，否则产生脉冲宽度Ln＝L+(n‑1)ΔL的擦除脉冲或脉冲宽度Hn＝H+(n‑1)ΔH的编程脉冲对RRAM器件进行擦除或编程操作，n为自然数，记录最后使RRAM器件状态发生改变的脉冲宽度Ln或Hn，即得到擦除速度或编程速度。
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